【48812】集成电路布图规划专有权公告(2022年12月2日)

布图规划称号：根据平面笔直双扩散结构的P沟道40V/10.5A/15mΩ MOSFET地图

布图规划称号：根据平面笔直双扩散结构的P沟道150V/11A/0.15Ω MOSFET地图

布图规划称号：根据抗辐照平面笔直双扩散结构的N沟道增强型200V/27.4A/0.1Ω MOSFET地图

布图规划称号：根据抗辐照平面笔直双扩散结构的N沟道增强型30V/75A/3.5mΩ MOSFET地图

布图规划称号：根据平面笔直双扩散结构的P沟道60V/3.5A/0.13Ω MOSFET地图

布图规划创作人：张勇、赵海亮、阮颐、李军、史文栋、张继祥、李刚、刘枫、章世轶

布图规划创作人：赵犇、陆云、王鑫、夏雷、曹志、韩豪杰、龚庆、沈韶清、秦毅

布图规划创作人：钟圣荣、葛景涛、钟子期、周东飞、柯俊吉、葛涛、李艺璇、冒晶晶、吴小玲

布图规划创作人：龙腾半导体股份有限公司、西安龙翔半导体有限公司、旭矽半导体（上海）有限公司

布图规划称号：支撑SVAC2.0/H.265双模编解码的人工智能视频监控SOC布图规划

布图规划称号：应用于带OVP功用单节锂离子电池1A线性充电芯片的宽作业电压规模比较器电路